TPC6108(TE85L,F) , P沟道 MOSFET 晶体管, 4.5 A, Vds=30 V, 6针 VS封装
- RS 库存编号:
- 415-336
- 制造商零件编号:
- TPC6108(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.97 | RMB0.397 |
| 50 - 190 | RMB3.31 | RMB0.331 |
| 200 - 490 | RMB3.05 | RMB0.305 |
| 500 - 990 | RMB2.76 | RMB0.276 |
| 1000 + | RMB2.65 | RMB0.265 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-336
- 制造商零件编号:
- TPC6108(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 60 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | VS | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2200 mW | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 570 pF @ 10 V | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 系列 | U-MOSⅣ | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 60 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 VS | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2200 mW | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 570 pF @ 10 V | ||
高度 0.7mm | ||
系列 U-MOSⅣ | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.7mm | ||