2SK4103(TE16L1,NQ) , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=500 V, 3针 PW Mold封装
- RS 库存编号:
- 415-364
- 制造商零件编号:
- 2SK4103(TE16L1,NQ)
- 制造商:
- Toshiba
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.45 | RMB0.545 |
| 50 - 190 | RMB4.54 | RMB0.454 |
| 200 - 490 | RMB4.19 | RMB0.419 |
| 500 - 990 | RMB3.78 | RMB0.378 |
| 1000 + | RMB3.63 | RMB0.363 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-364
- 制造商零件编号:
- 2SK4103(TE16L1,NQ)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 封装类型 | PW Mold | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 宽度 | 5.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 5.5 x 2.3mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 1.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
封装类型 PW Mold | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 40 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 6.5mm | ||
宽度 5.5mm | ||
尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm | ||
高度 2.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||