TPCA8011-H(TE12L,Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=20 V, 8针 SOP 高级封装
- RS 库存编号:
- 415-370
- 制造商零件编号:
- TPCA8011-H(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB86.76
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RMB98.04
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB17.352 | RMB86.76 |
| 25 - 95 | RMB14.46 | RMB72.30 |
| 100 - 245 | RMB13.348 | RMB66.74 |
| 250 - 495 | RMB12.05 | RMB60.25 |
| 500 + | RMB11.568 | RMB57.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-370
- 制造商零件编号:
- TPCA8011-H(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 封装类型 | SOP 高级 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45000 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2900 pF V @ 10 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC V @ 5 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 0.004 Ω | ||
最大栅源电压 ±12 V | ||
封装类型 SOP 高级 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45000 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
典型输入电容值@Vds 2900 pF V @ 10 | ||
典型栅极电荷@Vgs 32 nC V @ 5 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 5 x 0.95mm | ||