onsemi MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=70 V, 6.5 A, 3引脚 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 463-022P
- 制造商零件编号:
- NID6002NT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 245 | RMB7.55 |
| 250 - 495 | RMB6.25 |
| 500 - 995 | RMB5.50 |
| 1000 + | RMB4.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 463-022P
- 制造商零件编号:
- NID6002NT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A | |
| 最大漏源电压 | 70 V | |
| 封装类型 | D-PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 210 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | -14 V、+14 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6.5 A | ||
最大漏源电压 70 V | ||
封装类型 D-PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 210 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2500 mW | ||
最大栅源电压 -14 V、+14 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.73mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 2.38mm | ||
宽度 6.22mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||