onsemi MOSFET, N沟道, Si, Vds=60 V, 12 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
- RS 库存编号:
- 463-325
- 制造商零件编号:
- NTD3055L104T4G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.146 | RMB62.92 |
| 100 - 380 | RMB2.017 | RMB40.34 |
| 400 - 980 | RMB1.977 | RMB39.54 |
| 1000 - 1980 | RMB1.558 | RMB31.16 |
| 2000 + | RMB1.527 | RMB30.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 463-325
- 制造商零件编号:
- NTD3055L104T4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 104 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 48000 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -15 V、+15 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.4 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 104 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 48000 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -15 V、+15 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.4 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 2.38mm | ||
宽度 6.22mm | ||