onsemi MOSFET, P沟道, Si, Vds=50 V, 130 mA, 3引脚 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 463-329
- 制造商零件编号:
- BSS84LT1G
- 制造商:
- onsemi
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| 500 - 900 | RMB0.523 | RMB52.30 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 463-329
- 制造商零件编号:
- BSS84LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 130 mA | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 225 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 130 mA | ||
最大漏源电压 50 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 225 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.94mm | ||
长度 2.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||