IRLR8743PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 160 A, Vds=30 V, 3针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 495-613
- 制造商零件编号:
- IRLR8743PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB9.882 | RMB49.41 |
| 25 - 95 | RMB4.98 | RMB24.90 |
| 100 - 245 | RMB4.282 | RMB21.41 |
| 250 - 495 | RMB4.198 | RMB20.99 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 495-613
- 制造商零件编号:
- IRLR8743PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 160 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 135000 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 39 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 4880 pF@ 15 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 160 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 135000 mW | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||
高度 2.39mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 39 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 4880 pF@ 15 V | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，160A 最大连续漏极电流，135W 最大功率耗散 - IRLR8743TRPBF
这款 MOSFET 专为自动化和电子领域的高性能应用而设计。它采用 HEXFET 技术，在电源管理方面实现了显著的效率和可靠性。它能够处理大的连续泄放电流，因此适用于各种工业环境。
特点和优势
• 可处理最大 160A 连续漏极电流，性能稳定
• 最大漏极-源极电压为 30V，运行可靠
• 3.9mΩ 的低 Rds(on)值最大限度地减少了功率损耗
• 设计为增强型晶体管，以提高开关效率
• 表面贴装功能便于集成到电路设计中
• 额定工作温度高达 +175°C ，可改善热管理
应用
• 计算机电源中的高频同步降压转换器
• 电信系统中的隔离式直流-直流转换器
• 工业电源管理和自动化系统
• 需要低栅极阈值电压以实现高效开关的设备
• 需要紧凑型电源解决方案的各种电子设备
高温对其性能有何影响？
在高温下运行可提高其散热性能，使其能够有效管理高功率水平，同时确保在困难条件下的稳定性。
这项技术如何提高电子设备的效率？
HEXFET 技术由于 Rds（on）较低，可大幅降低功率损耗，使器件在高负载条件下高效运行，同时发热更少。
它能与其他半导体一起使用吗？
是的，它可以与混合信号电路中的其他半导体元件集成，从而增强整个电路的功能和性能。
其表面贴装设计有何意义？
表面贴装设计有助于在印刷电路板上进行紧凑装配，加强热管理，并优化电子应用中的空间。
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。