BSH114,215 N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia
- RS 库存编号:
- 508-539
- 制造商零件编号:
- BSH114,215
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB29.08
(不含税)
RMB32.86
(含税)
有库存
- 另外 2,100 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB1.454 | RMB29.08 |
| 100 - 180 | RMB1.211 | RMB24.22 |
| 200 - 380 | RMB1.118 | RMB22.36 |
| 400 - 980 | RMB1.01 | RMB20.20 |
| 1000 + | RMB0.969 | RMB19.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 508-539
- 制造商零件编号:
- BSH114,215
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 850 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 500 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 830 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 8 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 138 pF@ 25 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 850 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 500 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 830 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 8 ns | ||
典型输入电容值@Vds 138 pF@ 25 V | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.4 x 1mm | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.6 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN