PHK12NQ10T,518 N-Channel MOSFET Transistor, 11.6 A, 100 V, 8-Pin SOIC NXP
- RS 库存编号:
- 508-894
- 制造商零件编号:
- PHK12NQ10T,518
- 制造商:
- NXP
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|---|---|---|
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| 20 - 45 | RMB6.914 | RMB34.57 |
| 50 - 95 | RMB6.242 | RMB31.21 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 508-894
- 制造商零件编号:
- PHK12NQ10T,518
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11.6 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.028 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | SO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 8900 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 23 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 高度 | 1.45mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1965 pF V @ 25 | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.45mm | |
| 典型关断延迟时间 | 52 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11.6 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.028 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 SO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 8900 mW | ||
典型接通延迟时间 23 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4mm | ||
高度 1.45mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC V @ 10 | ||
典型输入电容值@Vds 1965 pF V @ 25 | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.45mm | ||
典型关断延迟时间 52 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- TH