TPCA8028-H(TE12L,Q , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=30 V, 8针 SOP 高级封装
- RS 库存编号:
- 582-505
- 制造商零件编号:
- TPCA8028-H(TE12L,Q
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB13.862 | RMB69.31 |
| 25 - 95 | RMB11.252 | RMB56.26 |
| 100 - 245 | RMB9.272 | RMB46.36 |
| 250 - 995 | RMB8.732 | RMB43.66 |
| 1000 + | RMB8.688 | RMB43.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 582-505
- 制造商零件编号:
- TPCA8028-H(TE12L,Q
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | 高级 SOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2800 mW | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 6000 pF@ 10 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.95mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC @ 5 V，88 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 高级 SOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2800 mW | ||
最高工作温度 +150°C | ||
高度 0.95mm | ||
典型输入电容值@Vds 6000 pF@ 10 V | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 5 x 0.95mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 5 V，88 nC @ 10 V | ||
宽度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- JP