ZVNL120A , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.18 A, Vds=200 V, 3针 E-Line封装
- RS 库存编号:
- 655-587P
- 制造商零件编号:
- ZVNL120A
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB110.90
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB3.926 |
| 100 - 245 | RMB3.924 |
| 250 - 495 | RMB3.922 |
| 500 + | RMB3.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 655-587P
- 制造商零件编号:
- ZVNL120A
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 mA | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω10 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | E-Line | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 700 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 高度 | 4.01mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.77mm | |
| 尺寸 | 4.77 x 2.41 x 4.01mm | |
| 宽度 | 2.41mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 85 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 mA | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 Ω10 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 E-Line | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 700 mW | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
高度 4.01mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.77mm | ||
尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm | ||
宽度 2.41mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 85 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- GB