IRF150 , N沟道 MOSFET 晶体管, 38 A, Vds=100 V, 2针 TO-3封装

品牌

Magnatec

通道类型

N

最大连续漏极电流

38 A

最大漏源电压

100 V

最大漏源电阻值

65 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-3

安装类型

通孔

引脚数目

3

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

150 W

典型栅极电荷@Vgs

5125 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

35 ns

每片芯片元件数目

1

宽度

26.67mm

典型输入电容值@Vds

3700 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

170 ns

高度

7.87mm

最高工作温度

+150 °C

长度

39.95mm

尺寸

39.95 x 26.67 x 7.87mm