2N6796 , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=100 V, 3针 TO-39封装
- RS 库存编号:
- 189-0646
- 制造商零件编号:
- 2N6796
- 制造商:
- Magnatec
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB182.26 |
| 25 - 99 | RMB149.69 |
| 100 - 249 | RMB144.93 |
| 250 - 499 | RMB142.08 |
| 500 + | RMB139.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 189-0646
- 制造商零件编号:
- 2N6796
- 制造商:
- Magnatec
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Magnatec | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-39 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 25 W | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 长度 | 9.4mm | |
| 尺寸 | 9.4 x 9.4 x 4.57mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns | |
| 宽度 | 9.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 900 pF@ 25 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Magnatec | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-39 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 25 W | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
长度 9.4mm | ||
尺寸 9.4 x 9.4 x 4.57mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 30 ns | ||
宽度 9.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 900 pF@ 25 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 4.57mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
不适用
- COO (Country of Origin):
- GB
