2N6845 , P沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=100 V, 3针 TO-39封装

品牌

Magnatec

通道类型

P

最大连续漏极电流

4 A

最大漏源电压

100 V

最大漏源电阻值

690 mΩ

最大栅阈值电压

4V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-39

安装类型

通孔

引脚数目

3

晶体管配置

单

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

20 W

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

16.3 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

380 pF@ 25 V

典型关断延迟时间

50 ns

尺寸

9.4 x 9.4 x 4.57mm

长度

9.4mm

最高工作温度

+150 °C

高度

4.57mm

典型接通延迟时间

60 ns

宽度

9.4mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1