BUZ900DP , N沟道 MOSFET 晶体管, 16 A, Vds=160 V, 2针 TO-3封装
- RS 库存编号:
- 197-9941
- 制造商零件编号:
- BUZ900DP
- 制造商:
- Magnatec
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB146.51 |
| 25 - 99 | RMB114.51 |
| 100 - 249 | RMB102.51 |
| 250 - 499 | RMB95.12 |
| 500 + | RMB91.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 197-9941
- 制造商零件编号:
- BUZ900DP
- 制造商:
- Magnatec
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Magnatec | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | |
| 最大漏源电压 | 160 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -14 V、+14 V | |
| 封装类型 | TO-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 长度 | 39mm | |
| 尺寸 | 39 x 25 x 8.7mm | |
| 宽度 | 25mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 8.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 100 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Magnatec | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 16 A | ||
最大漏源电压 160 V | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -14 V、+14 V | ||
封装类型 TO-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 250 W | ||
长度 39mm | ||
尺寸 39 x 25 x 8.7mm | ||
宽度 25mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 8.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 100 ns | ||
典型关断延迟时间 50 ns | ||
不适用