BUZ906DP , P沟道 MOSFET 晶体管, 16 A, Vds=-200 V, 3针 TO-3PBL封装

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RS 库存编号:
197-9985
制造商零件编号:
BUZ906DP
制造商:
Magnatec
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品牌

Magnatec

通道类型

P

最大连续漏极电流

16 A

最大漏源电压

200 V

最大栅阈值电压

1.5V

最大栅源电压

-14 V、+14 V

封装类型

TO-3PBL

安装类型

通孔

晶体管配置

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

250 W

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型接通延迟时间

150 ns

典型关断延迟时间

110 ns

宽度

5mm

最高工作温度

+150 °C

高度

26mm

长度

20mm

尺寸

20 x 5 x 26mm

不适用