NXP MOSFET, P沟道, Si, Vds=30 V, 3 A, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
- RS 库存编号:
- 216-9268
- 制造商零件编号:
- BSP250
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.706 | RMB23.53 |
| 10 - 15 | RMB3.426 | RMB17.13 |
| 20 - 45 | RMB3.424 | RMB17.12 |
| 50 - 95 | RMB3.422 | RMB17.11 |
| 100 + | RMB2.842 | RMB14.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 216-9268
- 制造商零件编号:
- BSP250
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-223 (SC-73) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.8V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 1.65 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOT-223 (SC-73) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 250 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.8V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 1.65 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 3.7mm | ||
长度 6.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN