FDC6303N, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.68 A, Vds=25 V, 6针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 354-4941P
- 制造商零件编号:
- FDC6303N
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB1.98 |
| 100 - 249 | RMB1.17 |
| 250 - 499 | RMB1.14 |
| 500 + | RMB1.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 354-4941P
- 制造商零件编号:
- FDC6303N
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 680 mA | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 450 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V | |
| 最大栅源电压 | +8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 50 pF @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 680 mA | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 450 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.65V | ||
最大栅源电压 +8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.64 nC @ 4.5 V | ||
宽度 1.7mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
典型关断延迟时间 17 ns | ||
典型输入电容值@Vds 50 pF @ 10 V | ||
