STP12NM50 , N沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=500 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 419-2197P
- 制造商零件编号:
- STP12NM50
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 25 件 (按管提供)*
RMB335.00
(不含税)
RMB378.50
(含税)
有库存
- 另外 83 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB13.40 |
| 100 - 249 | RMB10.91 |
| 250 - 499 | RMB10.90 |
| 500 + | RMB10.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 419-2197P
- 制造商零件编号:
- STP12NM50
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12 | |
| 最大漏源电压 Vd | 500 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 最低工作温度 | -65 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最大功耗 Pd | 160 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 10.4 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.15 | |
| 宽度 | 4.6 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 12 | ||
最大漏源电压 Vd 500 | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
最低工作温度 -65 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最大功耗 Pd 160 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 10.4 | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.15 | ||
宽度 4.6 | ||
汽车标准 否 | ||