SPD02N60S5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.8 A, Vds=600 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 445-2360P
- 制造商零件编号:
- SPD02N60S5
- 制造商:
- Infineon
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RMB151.50
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RMB171.25
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB6.06 |
| 100 - 245 | RMB4.86 |
| 250 - 495 | RMB4.726 |
| 500 + | RMB4.628 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 445-2360P
- 制造商零件编号:
- SPD02N60S5
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 25000 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 6.22 x 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 系列 | CoolMOS S5 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF@ 25 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.3 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
最大栅阈值电压 5.5V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 25000 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
高度 2.3mm | ||
系列 CoolMOS S5 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
典型输入电容值@Vds 240 pF@ 25 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.3 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 35 ns | ||
