SPP11N60C3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 11 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 462-3348
- 制造商零件编号:
- SPP11N60C3
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB18.636 | RMB93.18 |
| 10 - 15 | RMB17.168 | RMB85.84 |
| 20 - 45 | RMB16.83 | RMB84.15 |
| 50 - 95 | RMB15.024 | RMB75.12 |
| 100 + | RMB13.524 | RMB67.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 462-3348
- 制造商零件编号:
- SPP11N60C3
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 尺寸 | 8.64 x 10.26 x 4.4mm | |
| 长度 | 8.64mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1200 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 10.26mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | CoolMOS C3 | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 380 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.9V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
尺寸 8.64 x 10.26 x 4.4mm | ||
长度 8.64mm | ||
典型输入电容值@Vds 1200 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 10.26mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 CoolMOS C3 | ||
高度 4.4mm | ||
典型关断延迟时间 44 ns | ||