STB60NF06L , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=60 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 485-7276P
- 制造商零件编号:
- STB60NF06L
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB4.342 |
| 100 - 245 | RMB4.256 |
| 250 - 495 | RMB4.172 |
| 500 + | RMB4.09 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 485-7276P
- 制造商零件编号:
- STB60NF06L
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -15 V、+15 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 系列 | STripFET II | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2000 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 14 mΩ | ||
最大栅源电压 -15 V、+15 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
高度 4.6mm | ||
系列 STripFET II | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.4mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 2000 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 55 ns | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.35mm | ||