STD10NF10 , N沟道 MOSFET 晶体管, 13 A, Vds=100 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 486-1988
- 制造商零件编号:
- STD10NF10
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB20.06
(不含税)
RMB22.67
(含税)
有库存
- 75 件可立即发货
- 另外 85 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.012 | RMB20.06 |
| 25 - 95 | RMB3.088 | RMB15.44 |
| 100 - 245 | RMB3.028 | RMB15.14 |
| 250 - 495 | RMB2.968 | RMB14.84 |
| 500 + | RMB2.91 | RMB14.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 486-1988
- 制造商零件编号:
- STD10NF10
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 460 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.3 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 系列 | STripFET | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 50 W | ||
典型关断延迟时间 32 ns | ||
典型输入电容值@Vds 460 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 15.3 nC @ 10 V | ||
宽度 6.2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
高度 2.4mm | ||
系列 STripFET | ||
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
长度 6.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
