STD60NF3LL , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=30 V, 3针 D-PAK封装

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RS 库存编号:
486-2105
制造商零件编号:
STD60NF3LL
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

60 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

0.01 Ω

最大栅源电压

±16 V

封装类型

DPAK

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

100000 mW

高度

2.4mm

最高工作温度

+175 °C

系列

STripFET F3

尺寸

6.6 x 6.2 x 2.4mm

长度

6.6mm

典型关断延迟时间

36.5 ns

典型输入电容值@Vds

2210 pF V @ 25

典型栅极电荷@Vgs

30 nC V @ 4.5

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

22 ns

每片芯片元件数目

1

宽度

6.2mm