STB80NF55-06T4 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=55 V, 3针 I2PAK封装
- RS 库存编号:
- 486-5586
- 制造商零件编号:
- STB80NF55-06T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB10.00 |
| 25 - 99 | RMB9.95 |
| 100 - 249 | RMB9.48 |
| 250 - 499 | RMB9.02 |
| 500 + | RMB8.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 486-5586
- 制造商零件编号:
- STB80NF55-06T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | I2PAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300000 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.35mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | STripFET II | |
| 高度 | 9.35mm | |
| 典型关断延迟时间 | 125 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 4400 pF V @ 25 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 142 nC V @ 10 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 0.007 Ω | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 I2PAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300000 mW | ||
典型接通延迟时间 27 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.6mm | ||
尺寸 10.4 x 4.6 x 9.35mm | ||
长度 10.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 STripFET II | ||
高度 9.35mm | ||
典型关断延迟时间 125 ns | ||
典型输入电容值@Vds 4400 pF V @ 25 | ||
典型栅极电荷@Vgs 142 nC V @ 10 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||