STD10PF06-1 , P沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=60 V, 3针 IPAK封装

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RS 库存编号:
486-5592P
制造商零件编号:
STD10PF06-1
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

通道类型

P

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

200 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

IPAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

40000 mW

宽度

2.4mm

尺寸

6.6 x 2.4 x 6.2mm

长度

6.6mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

20 ns

高度

6.2mm

典型关断延迟时间

40 ns

典型输入电容值@Vds

850 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs

16 nC @ 10 V

最低工作温度

-65 °C

系列

STripFET

最高工作温度

+175 °C