STD20NF06 , N沟道 MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=60 V, 3针 TO-252封装

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RS 库存编号:
486-5621P
制造商零件编号:
STD20NF06
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

24 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

0.04 Ω

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大栅源电压

±20 V

封装类型

TO-252

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

60000 mW

长度

6.6mm

典型关断延迟时间

30 ns

典型输入电容值@Vds

690 pF V @ 25

典型栅极电荷@Vgs

23 nC V @ 10

典型接通延迟时间

10 ns

每片芯片元件数目

1

宽度

6.2mm

最低工作温度

-55 °C

高度

2.4mm

尺寸

6.6 x 6.2 x 2.4mm

最高工作温度

+175 °C

系列

STripFET