SKM111AR , N沟道 MOSFET 晶体管, 200 A, Vds=100 V, 4针 SEMITRANS®M1封装
- RS 库存编号:
- 505-3188
- 制造商零件编号:
- SKM111AR
- 制造商:
- Semikron
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB944.01 |
| 5 - 24 | RMB837.81 |
| 25 - 99 | RMB707.20 |
| 100 - 249 | RMB687.55 |
| 250 + | RMB660.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 505-3188
- 制造商零件编号:
- SKM111AR
- 制造商:
- Semikron
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semikron | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SEMITRANSM1 | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 高度 | 30mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 10 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 270 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 60 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 42mm | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 尺寸 | 78 x 42 x 30mm | |
| 长度 | 78mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semikron | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 9 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SEMITRANSM1 | ||
安装类型 面板安装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
高度 30mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 10 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 270 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 60 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 42mm | ||
最低工作温度 -40°C | ||
尺寸 78 x 42 x 30mm | ||
长度 78mm | ||
