IRF7406PBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 5.8 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装

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540-9856
制造商零件编号:
IRF7406PBF
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

通道类型

P

最大连续漏极电流

5.8 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

45 mΩ

最大栅阈值电压

1V

最小栅阈值电压

1V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOIC

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

晶体管配置

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.5 W

最高工作温度

+150 °C

系列

HEXFET

高度

1.5mm

典型关断延迟时间

45 ns

宽度

4mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

典型接通延迟时间

16 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

59 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

1100 pF@ 25 V

长度

5mm

尺寸

5 x 4 x 1.5mm