IRFBE30PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 4.1 A, Vds=800 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 541-1124
- 制造商零件编号:
- IRFBE30PBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB9.46
(不含税)
RMB10.69
(含税)
有库存
- 另外 9 件在 2026年6月01日 发货
- 另外 146 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB9.46 |
| 25 - 99 | RMB7.61 |
| 100 - 249 | RMB6.85 |
| 250 - 499 | RMB6.08 |
| 500 + | RMB5.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 541-1124
- 制造商零件编号:
- IRFBE30PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1 | |
| 最大漏源电压 Vd | 800 | |
| 系列 | IRFBE | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1.8 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78 | |
| 最大功耗 Pd | 125 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 9.01 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.41 | |
| 宽度 | 4.7 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1 | ||
最大漏源电压 Vd 800 | ||
系列 IRFBE | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1.8 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78 | ||
最大功耗 Pd 125 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 9.01 | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.41 | ||
宽度 4.7 | ||
汽车标准 否 | ||