SI4435DYPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=30 V, 8针 SO，SOIC N封装
- RS 库存编号:
- 543-1308P
- 制造商零件编号:
- SI4435DYPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计 25 件 (按管提供)*
RMB74.00
(不含税)
RMB83.50
(含税)
有库存
- 另外 389 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB2.96 |
| 100 - 249 | RMB2.37 |
| 250 - 499 | RMB2.32 |
| 500 + | RMB2.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 543-1308P
- 制造商零件编号:
- SI4435DYPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 典型关断延迟时间 | 75 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 20 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
典型关断延迟时间 75 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4mm | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1.55mm | ||