IRFL014NPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.7 A, Vds=55 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 543-1651
- 制造商零件编号:
- IRFL014NPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.692 | RMB23.46 |
| 25 - 95 | RMB2.074 | RMB10.37 |
| 100 - 245 | RMB1.656 | RMB8.28 |
| 250 - 495 | RMB1.622 | RMB8.11 |
| 500 + | RMB1.59 | RMB7.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 543-1651
- 制造商零件编号:
- IRFL014NPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 160 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 6.6 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 190 pF@ 25 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.7 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 160 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 6.6 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
典型输入电容值@Vds 190 pF@ 25 V | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm | ||
长度 6.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
