IRF7420PBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 11.5 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 543-2086
- 制造商零件编号:
- IRF7420PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB39.58
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RMB44.725
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.916 | RMB39.58 |
| 25 - 95 | RMB4.756 | RMB23.78 |
| 100 - 245 | RMB4.09 | RMB20.45 |
| 250 - 495 | RMB4.008 | RMB20.04 |
| 500 + | RMB3.782 | RMB18.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 543-2086
- 制造商零件编号:
- IRF7420PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 11.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8.8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 38 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3529 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 291 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 11.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 14 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
宽度 4mm | ||
系列 HEXFET | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8.8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 3529 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 291 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.5mm | ||