onsemi MOSFET 晶体管, P沟道, Vds=500 V, 2 A, 3引脚 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 544-9315
- 制造商零件编号:
- MTP2P50EG
- 制造商:
- onsemi
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小计（1 件）*
RMB17.34
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(含税)
正在逐步停售
- 另外 248 件在 2026年6月01日 发货
- 最后 222 件在 2026年6月01日 发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB17.34 |
| 25 - 99 | RMB13.97 |
| 100 - 249 | RMB11.44 |
| 250 - 499 | RMB11.21 |
| 500 + | RMB9.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 544-9315
- 制造商零件编号:
- MTP2P50EG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 高度 | 9.28mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大功率耗散 75 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.28mm | ||
宽度 4.82mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
高度 9.28mm | ||