onsemi MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=60 V, 500 mA, 3引脚 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 544-9359P
- 制造商零件编号:
- BS170G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 宽度 | 4.19mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 500 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5.2mm | ||
高度 5.33mm | ||
宽度 4.19mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
