MMBF170LT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.5 A, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 545-0321P
- 制造商零件编号:
- MMBF170LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB35.50
(不含税)
RMB40.00
(含税)
有库存
- 11,010 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 190 | RMB0.71 |
| 200 - 490 | RMB0.53 |
| 500 - 990 | RMB0.46 |
| 1000 + | RMB0.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-0321P
- 制造商零件编号:
- MMBF170LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 500 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | MMBF170L | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最大功耗 Pd | 225 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 160 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 1.3 | |
| 高度 | 0.94 | |
| 长度 | 2.9 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 500 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 MMBF170L | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最大功耗 Pd 225 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 160 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 1.3 | ||
高度 0.94 | ||
长度 2.9 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||