2N7000G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.2 A, Vds=60 V, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 545-2620
- 制造商零件编号:
- 2N7000G
- 制造商:
- onsemi
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卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | RMB617.01 | RMB0.617 |
| 2 - 2 | RMB604.91 | RMB0.605 |
| 3 - 3 | RMB593.04 | RMB0.593 |
| 4 - 4 | RMB581.41 | RMB0.581 |
| 5 + | RMB570.01 | RMB0.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-2620
- 制造商零件编号:
- 2N7000G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 350 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 60 pF@ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | |
| 宽度 | 4.19mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 350 mW | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
典型输入电容值@Vds 60 pF@ 25 V | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 5.2mm | ||
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm | ||
宽度 4.19mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 5.33mm | ||
