2SK3845(Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 70 A, Vds=60 V, 3针 TO-3P W，TO-3PN封装
- RS 库存编号:
- 601-2188P
- 制造商零件编号:
- 2SK3845(Q)
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
RMB1,725.50
(不含税)
RMB1,950.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 198 | RMB34.51 |
| 200 - 498 | RMB32.48 |
| 500 - 998 | RMB30.675 |
| 1000 + | RMB29.445 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 601-2188P
- 制造商零件编号:
- 2SK3845(Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 70 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.006 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-3P W，TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125000 mW | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 尺寸 | 15.9 x 4.8 x 19mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.8mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 196 nC V @ 10 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 12400 pF V @ 10 | |
| 高度 | 19mm | |
| 系列 | 2SK | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 70 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 0.006 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-3P W，TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125000 mW | ||
长度 15.9mm | ||
尺寸 15.9 x 4.8 x 19mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.8mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 196 nC V @ 10 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 12400 pF V @ 10 | ||
高度 19mm | ||
系列 2SK | ||
最高工作温度 +150 °C | ||