2SK4014(Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=900 V, 3针 TO-220SIS封装
- RS 库存编号:
- 601-2194P
- 制造商零件编号:
- 2SK4014(Q)
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 125 件 (按管提供)*
RMB1,876.75
(不含税)
RMB2,120.75
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年12月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 495 | RMB15.014 |
| 500 - 1245 | RMB13.858 |
| 1250 - 2495 | RMB12.512 |
| 2500 + | RMB12.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 601-2194P
- 制造商零件编号:
- 2SK4014(Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 900 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220SIS | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 8.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 尺寸 | 10 x 4.5 x 8.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 900 V | ||
最大漏源电阻值 2 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220SIS | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45 W | ||
长度 10mm | ||
高度 8.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1400 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.5mm | ||
尺寸 10 x 4.5 x 8.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||