IRLML2502PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 4.2 A, Vds=20 V, 3针 Micro3封装
- RS 库存编号:
- 610-6693
- 制造商零件编号:
- IRLML2502PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB9.99
(不含税)
RMB11.29
(含税)
有库存
- 另外 155 件在 2026年6月01日 发货
- 另外 1,200 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB1.998 | RMB9.99 |
| 25 - 95 | RMB1.20 | RMB6.00 |
| 100 - 245 | RMB1.076 | RMB5.38 |
| 250 - 495 | RMB0.934 | RMB4.67 |
| 500 + | RMB0.858 | RMB4.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 610-6693
- 制造商零件编号:
- IRLML2502PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 54 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 740 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.2 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 45 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.25 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1.02mm | ||
宽度 1.4mm | ||
长度 3.04mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 54 ns | ||
典型接通延迟时间 7.5 ns | ||
典型输入电容值@Vds 740 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
