IRLML6302PBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.78 A, Vds=20 V, 3针 Micro3封装
- RS 库存编号:
- 610-6851
- 制造商零件编号:
- IRLML6302PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB0.696 | RMB3.48 |
| 25 - 95 | RMB0.682 | RMB3.41 |
| 100 - 245 | RMB0.668 | RMB3.34 |
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| 500 + | RMB0.64 | RMB3.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 610-6851
- 制造商零件编号:
- IRLML6302PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 780 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 540 mW | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.4 x 1.01mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 97 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 780 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 540 mW | ||
尺寸 3.05 x 1.4 x 1.01mm | ||
高度 1.01mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.4mm | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
典型输入电容值@Vds 97 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.4 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||