2SK2314(F) , N沟道 MOSFET 晶体管, 27 A, Vds=100 V, 3针 TO-220FL封装
- RS 库存编号:
- 625-7921P
- 制造商零件编号:
- 2SK2314(F)
- 制造商:
- Toshiba
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小计 25 件 (按管提供)*
RMB377.00
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RMB426.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB15.08 |
| 100 - 249 | RMB13.92 |
| 250 - 499 | RMB12.57 |
| 500 + | RMB12.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 625-7921P
- 制造商零件编号:
- 2SK2314(F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 27 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 85 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220FL | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 4.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1100 pF @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.3 x 9.1 x 4.7mm | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 宽度 | 9.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 27 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 85 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220FL | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 75 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 4.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.3 x 9.1 x 4.7mm | ||
长度 10.3mm | ||
宽度 9.1mm | ||