BF1211WR,115 N-Channel MOSFET Tetrode, 30 mA, 6 V, 4-Pin CMPAK NXP
- RS 库存编号:
- 626-2248P
- 制造商零件编号:
- BF1211WR,115
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB61.05
(不含税)
RMB69.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 190 | RMB1.221 |
| 200 - 490 | RMB1.212 |
| 500 - 990 | RMB1.154 |
| 1000 + | RMB1.099 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 626-2248P
- 制造商零件编号:
- BF1211WR,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 mA | |
| 最大漏源电压 | 6 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最大栅源电压 | +6 V | |
| 封装类型 | CMPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 180 mW | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1.1 pF @ 5 V、2.1 pF @ 5 V | |
| 典型功率增益 | 34 dB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 mA | ||
最大漏源电压 6 V | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
最大栅源电压 +6 V | ||
封装类型 CMPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 射频 MOSFET | ||
最大功率耗散 180 mW | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.35mm | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1.1 pF @ 5 V、2.1 pF @ 5 V | ||
典型功率增益 34 dB | ||
- COO (Country of Origin):
- CN