BF1208,115 Dual N-Channel MOSFET Tetrode, 30 mA, 6 V, 6-Pin SOT-666 NXP
- RS 库存编号:
- 626-2254P
- 制造商零件编号:
- BF1208,115
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 15 | RMB2.334 |
| 20 - 45 | RMB2.154 |
| 50 - 95 | RMB1.944 |
| 100 + | RMB1.866 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 626-2254P
- 制造商零件编号:
- BF1208,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 mA | |
| 最大漏源电压 | 6 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最大栅源电压 | +6 V | |
| 封装类型 | SOT-666 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 共源 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 180 mW | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型功率增益 | 36 dB、37 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 2 pF @ 5 V、2.2 pF @ 5 V、3 pF @ 5 V、3.4 pF @ 5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 mA | ||
最大漏源电压 6 V | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
最大栅源电压 +6 V | ||
封装类型 SOT-666 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 共源 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 射频 MOSFET | ||
最大功率耗散 180 mW | ||
高度 0.6mm | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型功率增益 36 dB、37 dB | ||
典型输入电容值@Vds 2 pF @ 5 V、2.2 pF @ 5 V、3 pF @ 5 V、3.4 pF @ 5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN