IRF5803PBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.4 A, Vds=40 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 650-3735P
- 制造商零件编号:
- IRF5803PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
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RMB52.50
(不含税)
RMB59.25
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB2.10 |
| 100 - 245 | RMB1.88 |
| 250 - 495 | RMB1.728 |
| 500 + | RMB1.658 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 650-3735P
- 制造商零件编号:
- IRF5803PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.4 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 112 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1300 mW | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.5 x 0.9mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 典型关断延迟时间 | 88 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1110 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 43 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.4 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 112 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1300 mW | ||
宽度 1.5mm | ||
尺寸 3 x 1.5 x 0.9mm | ||
长度 3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 0.9mm | ||
典型关断延迟时间 88 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1110 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 43 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||