ZVN4424GTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.5 A, Vds=240 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 669-7442
- 制造商零件编号:
- ZVN4424GTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB3.824 | RMB19.12 |
| 25 - 95 | RMB3.334 | RMB16.67 |
| 100 - 245 | RMB3.002 | RMB15.01 |
| 250 - 495 | RMB2.942 | RMB14.71 |
| 500 + | RMB2.55 | RMB12.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 669-7442
- 制造商零件编号:
- ZVN4424GTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | |
| 最大漏源电压 | 240 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V | |
| 最大栅源电压 | -40 V、+40 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.55mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 110 pF@ 25 V | |
| 宽度 | 3.55mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 2.5 ns | |
| 尺寸 | 6.55 x 3.55 x 1.65mm | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 500 mA | ||
最大漏源电压 240 V | ||
最大漏源电阻值 5.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.8V | ||
最大栅源电压 -40 V、+40 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
高度 1.65mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.55mm | ||
典型输入电容值@Vds 110 pF@ 25 V | ||
宽度 3.55mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 2.5 ns | ||
尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||