ZXMHC6A07T8TA, 四 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=60 V, 8针 SM8封装
- RS 库存编号:
- 669-7461
- 制造商零件编号:
- ZXMHC6A07T8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 10 - 38 | RMB11.405 | RMB22.81 |
| 40 - 98 | RMB10.155 | RMB20.31 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 669-7461
- 制造商零件编号:
- ZXMHC6A07T8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.5 A，1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ、425 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SM | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 全桥 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1700 mW | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 1.6 ns、1.8 ns | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.65 nC @ 5 V，2.4 nC @ 5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 166 pF@ 40 V, 233 pF@ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 4.9 ns, 13 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 1.5 A，1.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ、425 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SM | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 全桥 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1700 mW | ||
高度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 1.6 ns、1.8 ns | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
宽度 3.7mm | ||
长度 6.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.65 nC @ 5 V，2.4 nC @ 5 V | ||
典型输入电容值@Vds 166 pF@ 40 V, 233 pF@ 30 V | ||
典型关断延迟时间 4.9 ns, 13 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- DE