ZXMD63N02XTA, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 2.4 A, Vds=20 V, 8针 MSOP封装
- RS 库存编号:
- 669-7540
- 制造商零件编号:
- ZXMD63N02XTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB38.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.20 | RMB38.40 |
| 10 - 38 | RMB15.00 | RMB30.00 |
| 40 - 98 | RMB13.40 | RMB26.80 |
| 100 - 198 | RMB11.70 | RMB23.40 |
| 200 + | RMB10.80 | RMB21.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 669-7540
- 制造商零件编号:
- ZXMD63N02XTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1250 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 13.5 ns | |
| 尺寸 | 3.1 x 3.1 x 0.95mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 350 pF@ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1250 mW | ||
典型关断延迟时间 13.5 ns | ||
尺寸 3.1 x 3.1 x 0.95mm | ||
长度 3.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 3.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 350 pF@ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 3.4 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||