ZXMN10A07FTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.8 A, Vds=100 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 669-7679
- 制造商零件编号:
- ZXMN10A07FTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.497 | RMB34.97 |
| 50 - 190 | RMB3.326 | RMB33.26 |
| 200 - 490 | RMB2.851 | RMB28.51 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 669-7679
- 制造商零件编号:
- ZXMN10A07FTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 800mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 700 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 806 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 4.1 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 138 pF@ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.9 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 1.8 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1mm | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.4 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 800mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 700 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 806 mW | ||
典型关断延迟时间 4.1 ns | ||
典型输入电容值@Vds 138 pF@ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
典型接通延迟时间 1.8 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1mm | ||
尺寸 3.05 x 1.4 x 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.05mm | ||