ZXMN6A07ZTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=60 V, 4针 SOT-89封装
- RS 库存编号:
- 669-7691P
- 制造商零件编号:
- ZXMN6A07ZTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 190 | RMB6.28 |
| 200 - 490 | RMB4.208 |
| 500 - 990 | RMB4.125 |
| 1000 + | RMB4.044 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 669-7691P
- 制造商零件编号:
- ZXMN6A07ZTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-89 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.6 W | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 尺寸 | 4.6 x 2.6 x 1.6mm | |
| 宽度 | 2.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 1.8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.65 nC @ 5 V、3.2 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 166 pF@ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 4.9 ns | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 250 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-89 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.6 W | ||
长度 4.6mm | ||
尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm | ||
宽度 2.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 1.8 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.65 nC @ 5 V、3.2 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 166 pF@ 40 V | ||
典型关断延迟时间 4.9 ns | ||
高度 1.6mm | ||